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ICP深硅刻蝕的“流量精度錨點(diǎn)”：刻蝕機(jī)專用流量計兩大技術(shù)要求，缺一不可
在ICP深硅刻蝕工藝中，氣體流量的控制精度是工藝良率的基石，直接決定等離子體穩(wěn)定性與硅材料刻蝕形貌。作為核心部件，流量計需精準(zhǔn)匹配“低流量、高動態(tài)”要求，避免刻蝕速率不均、側(cè)壁輪廓畸變等缺陷，最終損害器件性能與良率。
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2025
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PECVD技術(shù)在薄膜涂覆中的應(yīng)用
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)是一種常用的薄膜涂覆技術(shù)，具有高效、均勻、可控的特點(diǎn)。通過激活各種氣體進(jìn)行反應(yīng)，形成不同性質(zhì)的薄膜，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、電子顯示等領(lǐng)域。
2024
PECVD工作原理
PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一種在大氣上采用等離子體技術(shù)進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的方法。本文將介紹PECVD的工作原理，以及其在材料制備領(lǐng)域的應(yīng)用。
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真空鍍膜技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用加速發(fā)展
真空鍍膜技術(shù)作為一種先進(jìn)的表面處理技術(shù)，正在新能源汽車領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用和重視。
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真空鍍膜的工作原理
真空鍍膜是一種常用于提高材料表面性能的技術(shù)，通過在真空環(huán)境中將薄膜材料沉積在基材表面，以實現(xiàn)各種功能要求。
05
探索先進(jìn)技術(shù)ALD在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用
本文將介紹原子層沉積（ALD）技術(shù)在半導(dǎo)體制造中的重要性及應(yīng)用前景。
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ALD工作原理介紹
原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是一種精密薄膜沉積技術(shù)，其工作原理基于原子層控制和循環(huán)沉積反應(yīng)的特點(diǎn)。
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熱式流量控制器廠家的先進(jìn)技術(shù)應(yīng)用
本文將介紹熱式流量控制器廠家在技術(shù)上的創(chuàng)新應(yīng)用，以提高流量控制精度和穩(wěn)定性，在工業(yè)自動化領(lǐng)域具有重要意義。
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